抄録
Stability of ferroelectric phase and its thickness-dependence were theoretically investigated by incorporating the semiconductor properties of ferroelectrics into the Ginzburg-Landau (GL) theory, which successfully explained experimental results for ferroelectric oxides, e.g., BaTiO3. An expression of the GL energy of a ferroelectric in a complex structure was derived. Using the energy, the semiconductivity was found to suppress the instability more effectively than the inhomogeneity (▽P)- and multidomain-effects.
| 本文言語 | 英語 |
|---|---|
| ページ(範囲) | 610-615 |
| ページ数 | 6 |
| ジャーナル | Applied Surface Science |
| 巻 | 130-132 |
| DOI | |
| 出版ステータス | 出版済み - 1998 |
| 外部発表 | はい |
| イベント | Proceedings of the 1997 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Intefaces, ACSI-4 - Tokyo, Jpn 継続期間: 10月 27 1997 → 10月 30 1997 |
!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes
- 化学一般
- 凝縮系物理学
- 物理学および天文学一般
- 表面および界面
- 表面、皮膜および薄膜
フィンガープリント
「Theoretical investigation of the thickness effect of ferroelectric incorporating semiconducting properties」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。引用スタイル
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