Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

6 被引用数 (Scopus)

抄録

5-nm-Thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studied. The thickness dependence of ferroelectric properties indicates that stable ferroelectric characteristics are maintained down to 5-nm-thick by taking care of doping and capping effects. Furthermore, the cycling performance shows no wake-up behavior, no obvious degradation after 108 cycles. These results not only enable us to use ferroelectric HfO2 for practical application, but also point out intrinsic properties in ultrathin ferroelectric HfO2 film from materials science point of view.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2017 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ37.1.1-37.1.4
ISBN(電子版)9781538635599
DOI
出版ステータス出版済み - 1月 23 2018
外部発表はい
イベント63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017 - San Francisco, 米国
継続期間: 12月 2 201712月 6 2017

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN(印刷版)0163-1918

その他

その他63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017
国/地域米国
CitySan Francisco
Period12/2/1712/6/17

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル