Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors
- Daisuke Hishitani
- , Masahiro Horita
- , Yasuaki Ishikawa
- , Hiroshi Ikenoue
- , Yukiharu Uraoka
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
3
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被引用数
(Scopus)