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Quantitative Discussion on Sensitivity to Terahertz Waves of Detectors Made of MOSFET and High-Electron Mobility Transistor

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

A newly developed circuit model is presented to describe detection characteristic of square law detectors made of an FET under non-quasistatic condition. Sensing performance calculated using formulae derived from the model agrees well with results of experiment carried out to detect 1.0 THz waves using InAs-channel high-electron mobility transistor (HEMT). The model predicts that HEMT offers much higher voltage sensitivity to terahertz waves than Si MOSFET even for miniaturized devices.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルProceedings of the International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications and Computations, JAC-ECC 2019
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ128-131
ページ数4
ISBN(電子版)9781728156170
DOI
出版ステータス出版済み - 12月 2019
イベント7th International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications and Computations, JAC-ECC 2019 - Alexandria, エジプト
継続期間: 12月 15 201912月 16 2019

出版物シリーズ

名前Proceedings of the International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications and Computations, JAC-ECC 2019

会議

会議7th International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications and Computations, JAC-ECC 2019
国/地域エジプト
CityAlexandria
Period12/15/1912/16/19

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 電子工学および電気工学
  • 制御と最適化
  • 人工知能

フィンガープリント

「Quantitative Discussion on Sensitivity to Terahertz Waves of Detectors Made of MOSFET and High-Electron Mobility Transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル