Photoluminescence properties of ion beam synthesized β-FeSi 2

Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Masaru Itakura, Noriyuki Kuwano

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

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抄録

Effects of structural changes near the interface, the implantation dose and the precipitate morphology on photoluminescence (PL) properties of ion-beam synthesized (IBS) β-FeSi2 have been investigated. The intrinsic PL spectrum attributed to the interband transition of β-FeSi2 was found by examining the dependence of the PL peak energy on temperature and the excitation power.

本文言語英語
ページ(範囲)160-164
ページ数5
ジャーナルThin Solid Films
461
1
DOI
出版ステータス出版済み - 8月 2 2004
イベントProceedings of Symposium on Semiconducting Silicides - Yokohama, 日本
継続期間: 10月 8 200310月 13 2003

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Photoluminescence properties of ion beam synthesized β-FeSi 2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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