Phosphorus doping of 4H SiC by liquid immersion excimer laser irradiation

Akihiro Ikeda, Koji Nishi, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

24 被引用数 (Scopus)

抄録

Phosphorus doping of 4H SiC is performed by KrF excimer laser irradiation of 4H SiC immersed in phosphoric acid. Phosphorus is incorporated to a depth of a few tens of nanometers at a concentration of over 1020/cm 3 without generating significant crystal defects. Formation of a pn junction diode with an ideality factor of 1.06 is demonstrated.

本文言語英語
論文番号052104
ジャーナルApplied Physics Letters
102
5
DOI
出版ステータス出版済み - 2月 4 2013

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Phosphorus doping of 4H SiC by liquid immersion excimer laser irradiation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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