Magnetoelectric Response of Antiferromagnetic CrI3Bilayers

Chao Lei, Bheema L. Chittari, Kentaro Nomura, Nepal Banerjee, Jeil Jung, Allan H. Macdonald

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

17 被引用数 (Scopus)

抄録

We predict that layer antiferromagnetic bilayers formed from van der Waals (vdW) materials with weak interlayer versus intralayer exchange coupling have strong magnetoelectric response that can be detected in dual-gated devices where internal displacement fields and carrier densities can be varied independently. We illustrate this strong temperature-dependent magnetoelectric response in bilayer CrI3 at charge neutrality by calculating the gate voltage-dependent total magnetization through Monte Carlo simulations and mean-field solutions of the anisotropic Heisenberg model informed from density functional theory and experimental data and present a simple model for electrical control of magnetism by electrostatic doping.

本文言語英語
ページ(範囲)1948-1954
ページ数7
ジャーナルNano Letters
21
5
DOI
出版ステータス出版済み - 3月 10 2021
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • バイオエンジニアリング
  • 化学 (全般)
  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Magnetoelectric Response of Antiferromagnetic CrI3Bilayers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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