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Low temperature direct bonding of flip-chip mounting VCSEL to Si substrate

  • T. Imamura
  • , E. Higurashi
  • , T. Suga
  • , R. Sawada

    研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

    抄録

    This paper describes the result of low temperature direct metal bonding of vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) for flip-chip mounting to Si substrate by surface activated bonding (SAB) method. In the SAB process, radio frequency (RF) driven, low-pressure argon (Ar) plasma was used to clean the surfaces to be bonded. After organic contaminants on the surfaces of Au electrodes of the VCSEL and Si substrate were removed by Ar RF plasma, Au-Au direct bonding was carried out in the ambient air. The high die-shear strength of 84 MPa (77.4 gf) was achieved at a bonding temperature of 150°C. Therefore, Au SAB bonding in the ambient air can be applied to realize low cost and highly functional optical microsystems.

    本文言語英語
    ホスト出版物のタイトル2006 International Microsystems, Packaging,Assembly Conference Taiwan, IMPACT - Proceedings of Technical Papers
    ページ185-188
    ページ数4
    DOI
    出版ステータス出版済み - 2006
    イベント2006 International Microsystems, Packaging, Assembly Conference Taiwan, IMPACT - Taipei, 台湾
    継続期間: 10月 18 200610月 20 2006

    出版物シリーズ

    名前2006 International Microsystems, Packaging,Assembly Conference Taiwan, IMPACT - Proceedings of Technical Papers

    その他

    その他2006 International Microsystems, Packaging, Assembly Conference Taiwan, IMPACT
    国/地域台湾
    CityTaipei
    Period10/18/0610/20/06

    !!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 電子工学および電気工学

    フィンガープリント

    「Low temperature direct bonding of flip-chip mounting VCSEL to Si substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル