Ion-beam enhanced stress-relaxation of SiGe on SiO2

M. Tanaka, T. Sadoh, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, M. Miyao

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

The Ge condensation by oxidation of SiGe/Si-on-insulator (SOI) structures enabled highly stress relaxed SGOI. However, the relaxation rate obtained in the SiGe layers on insulator (SGOI) abruptly decreased with decreasing SiGe thickness below 50 nm. In order to enhance the relaxation rate in ultra-thin SGOI, the technique combined with H+ irradiation with medium dose (5×1015 cm-2) and post-annealing (1200 °C) has been developed. It was demonstrated that highly relaxed (70 %) ultra-thin SGOI with low defect density (<106 cm-2) has been realized by this technique.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルGrowth, Modification and Analysis by Ion Beams at the Nanoscale
出版社Materials Research Society
ページ50-54
ページ数5
ISBN(印刷版)1558998632, 9781558998636
DOI
出版ステータス出版済み - 2005
イベント2005 MRS Fall Meeting - Boston, MA, 米国
継続期間: 11月 28 200512月 2 2005

出版物シリーズ

名前Materials Research Society Symposium Proceedings
908
ISSN(印刷版)0272-9172

その他

その他2005 MRS Fall Meeting
国/地域米国
CityBoston, MA
Period11/28/0512/2/05

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学一般
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Ion-beam enhanced stress-relaxation of SiGe on SiO2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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