Insertion-loss-free 2×2 InGaAsP/InP optical switch fabricated using bandgap energy controlled selective MOVPE

K. Hamamoto, K. Komatsu

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

20 被引用数 (Scopus)

抄録

An insertion-loss-free 2×2 passive splitter/laser diode (LD) amplifier gate sw'itch was fabricated using bandgap energy controlled selective metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE). The InGaAsP bulk core layers of the passive waveguides and LD amplifiers, for which the bandgap energies were different, were simultaneously grown using one-step selective MOVPE. More than OdB of fibre-to-fibre gain was achieved at a gate injection current of >75mA.

本文言語英語
ページ(範囲)1779-1781
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
31
20
DOI
出版ステータス出版済み - 9月 28 1995
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Insertion-loss-free 2×2 InGaAsP/InP optical switch fabricated using bandgap energy controlled selective MOVPE」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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