Impact of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

研究成果: 会議への寄与タイプ学会誌査読

本文言語英語
ページ315-316
ページ数2
DOI
出版ステータス出版済み - 9月 13 2018
イベント2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) - University of Tokyo, Tokyo, 日本
継続期間: 9月 9 20189月 13 2018

会議

会議2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
国/地域日本
CityTokyo
Period9/9/189/13/18

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