GaAs-MESFETS FABRICATED IN SOI LAYERS ON CRYSTALLINE Ca//x SR//1// minus //x F//2 INSULATOR FILMS.

K. Tsutsui, T. Asano, H. Ishiwara, S. Furukawa

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

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抄録

Semiconductor on insulator (SOI)-GaAs structures of GaAs/Ca//x SR//1// minus //x F//2/GaAs(100) were grown by molecular beam epitaxy, and MESFETs were fabricated in the SOI layers for the first time. The two-step growth method was effective for good electrical properties of SOI films. The g//m value of 25mS/mm was obtained for an FET with L//g equals 3. 0 mu m, though it suffered mobility degradation from antiphase disorder. Evaluation of mobility showed that suppression of antiphase disorder leads to drastic improvement of the SOI-GaAs device characteristics.

本文言語英語
ページ(範囲)755-758
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータス出版済み - 1986
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「GaAs-MESFETS FABRICATED IN SOI LAYERS ON CRYSTALLINE Ca//x SR//1// minus //x F//2 INSULATOR FILMS.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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