Enhanced low-temperature oxidation of 4H-SiC using SrTi1-xMgxO3-δ

Li Li, Akihiro Ikeda, Tanemasa Asano

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

SrTi1-xMgxO3-δ, an oxidation catalyst, is employed to produce active oxygen species in an oxidation furnace and to enhance oxidation of 4H-SiC at low temperatures. The linear rate constant of the oxidation model at the 4H-SiC (0001)-Si surface at 800~900 °C is enhanced by two orders of magnitude in comparison to the conventional dry oxidation. The catalytic oxidation is, therefore, able to form a gate oxide at temperatures as low as 800°C. Interface state density in the energy range of 0.2~0.5 eV from the conduction band edge of the 4H-SiC oxidized with catalyst at 800°C is almost same as the one oxidized using the conventional dry oxidation at 1100 °C.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルSilicon Carbide and Related Materials 2016
編集者Konstantinos Zekentes, Konstantinos Zekentes, Konstantin V. Vasilevskiy, Nikolaos Frangis
出版社Trans Tech Publications Ltd
ページ356-359
ページ数4
ISBN(印刷版)9783035710434
DOI
出版ステータス出版済み - 2017
イベント11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016 - Halkidiki, ギリシャ
継続期間: 9月 25 20169月 29 2016

出版物シリーズ

名前Materials Science Forum
897 MSF
ISSN(印刷版)0255-5476
ISSN(電子版)1662-9752

その他

その他11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016
国/地域ギリシャ
CityHalkidiki
Period9/25/169/29/16

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学一般
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Enhanced low-temperature oxidation of 4H-SiC using SrTi1-xMgxO3-δ」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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