Electrical characteristics of layer semiconductor p-GaSe doped with Cd

S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima

    研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

    17 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The electrical properties of Cd-doped GaSe have been investigated by using Hall-effect and deep-level transient spectroscopy (DLTS). The temperature dependence of hole concentration shows the characteristic of a partially compensated p-type semiconductor. The moderately deep acceptor level at about 0.28 eV above the valence band is detected by using both Hall-effect and DLTS measurements. We find that the acceptor level is associated with Cd-related defects formed by the dopant atoms.

    本文言語英語
    ページ(範囲)4686-4688
    ページ数3
    ジャーナルJournal of Applied Physics
    73
    9
    DOI
    出版ステータス出版済み - 1993

    !!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 物理学および天文学一般

    フィンガープリント

    「Electrical characteristics of layer semiconductor p-GaSe doped with Cd」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル