Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability

S. Nishizawa, F.Mercier

    研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

    4 被引用数 (Scopus)

    抄録

    In this study, effects of nitrogen and aluminium dopant on the SiC crystal structure and polytype stability were investigated by density functional theory. With taking account of the stacking energy of additional bilayer, the carbon terminated surface as seed surface with nitrogen doped condition is the only condition of 4H single polytype SiC growth. Under the other conditions, polytype conversion and inclusion might occurre.

    本文言語英語
    ページ(範囲)99-102
    ページ数4
    ジャーナルJournal of Crystal Growth
    518
    DOI
    出版ステータス出版済み - 7月 15 2019

    !!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 凝縮系物理学
    • 無機化学
    • 材料化学

    フィンガープリント

    「Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル