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研究成果
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活動
プレス/メディア
受賞
Effect of Al
2
O
3
deposition and subsequent annealing on passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator
Haigui Yang
, Masatoshi Iyota
, Shogo Ikeura
,
Dong Wang
, Hiroshi Nakashima
Energy Engineering Sciences
研究成果
:
書籍/レポート タイプへの寄稿
›
会議への寄与
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Effect of Al
2
O
3
deposition and subsequent annealing on passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Material Science
Aluminum Oxide
100%
Annealing
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
33%
Surface Reaction
33%
Hole Concentration
33%