Depth-profiling analysis of MOCVD-grown triple junction solar cells by SIMS

Helena Téllez, José M. Vadillo, Egbert Rodríguez Messmer, Javier Miguel-Sánchez, J. Javier Laserna

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

Dynamic secondary ion mass spectrometry (d-SIMS) has been applied to the analysis of the multilayered structure of GaInP/Ga(In)As/Ge concentration photovoltaic devices fabricated by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). Within the arsenal of techniques required to characterize such devices, SIMS represents the most powerful one due to the complete atomic/molecular information provided, its excellent sensitivity and reproducibility. Under Ar+ sputtering, the sample oxidation state is preserved, allowing for the location of interlayer oxides that may appear during the fabrication.

本文言語英語
ページ(範囲)646-648
ページ数3
ジャーナルSurface and Interface Analysis
43
1-2
DOI
出版ステータス出版済み - 1月 2011
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 化学一般
  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「Depth-profiling analysis of MOCVD-grown triple junction solar cells by SIMS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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