Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macrodefects by liquid-phase epitaxy: A Raman spectroscopic study

Toru Ujihara, Shinji Munetoh, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Gen Sazaki, Kazuo Nakajima

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

Liquid-phase epitaxial (LPE) growth on silicon carbide simultaneously covers macroscale defects, e.g. micropipes, and improves the quality of the crystal. In this study, an epi-layer grown over a macrodefect was evaluated by micro-Raman scattering spectroscopy. Before the growth process, the density of the stacking fault was high and the carrier density spatially inhomogeneous in the vicinity of the macrodefects. On the other hand, after growth, the layer over the macrodefect displayed good quality; the density of the stacking fault was less than that before growth and the homogeneity of the carrier density improved.

本文言語英語
ページ(範囲)206-209
ページ数4
ジャーナルThin Solid Films
476
1
DOI
出版ステータス出版済み - 4月 1 2005
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macrodefects by liquid-phase epitaxy: A Raman spectroscopic study」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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