Application of Surface Activated Bonding to Determine the Dislocation Generation Process at Asymmetric Grain Boundaries in Silicon

  • Yutaka Ohno
  • , Hikaru Saito
  • , Jianbo Liang
  • , Naoteru Shigekawa
  • , Tatsuya Yokoi
  • , Katsuyuki Matsunaga
  • , Koji Inoue
  • , Yasuyoshi Nagai
  • , Satoshi Hata

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与

抄録

An amorphous layer at a Si{111}/Si{115} bonding interface, formed via the surface activated bonding, is examined by using scanning transmission electron microscopy. The recrystallization process of the amorphous layer, accompanied with dislocation generation, is observed in-situ at elevated temperatures above 1000 °C.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2024 8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN（電子版）9798331519919
DOI
出版ステータス出版済み - 2024
イベント8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024 - Nara, 日本
継続期間: 10月 30 2024 → 11月 1 2024

出版物シリーズ

名前2024 8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024

会議

会議8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024
国/地域日本
CityNara
Period10/30/24 → 11/1/24

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学
  • 産業および生産工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

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