Application of Surface Activated Bonding to Determine the Dislocation Generation Process at Asymmetric Grain Boundaries in Silicon

Yutaka Ohno, Hikaru Saito, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Tatsuya Yokoi, Katsuyuki Matsunaga, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Satoshi Hata

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抄録

An amorphous layer at a Si{111}/Si{115} bonding interface, formed via the surface activated bonding, is examined by using scanning transmission electron microscopy. The recrystallization process of the amorphous layer, accompanied with dislocation generation, is observed in-situ at elevated temperatures above 1000 °C.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2024 8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN（電子版）9798331519919
DOI
出版ステータス出版済み - 2024
イベント8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024 - Nara, 日本
継続期間: 10月 30 2024 → 11月 1 2024

出版物シリーズ

名前2024 8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024

会議

会議8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2024
国/地域日本
CityNara
Period10/30/24 → 11/1/24

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学
  • 産業および生産工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

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