3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat)
K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura
研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与