年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Yoshiji Miyamuraが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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Dependence of Dislocation Density Distribution on Radial Temperature Gradient in 300mm Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process
Yuan, J., Cai, B., Miyamura, Y., Saito, W. & Nishizawa, S., 2025, 9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Shaping the Future with Innovations in Devices and Manufacturing, EDTM 2025. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Shaping the Future with Innovations in Devices and Manufacturing, EDTM 2025).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
2 被引用数 (Scopus) -
Impact of Dislocations on Minority Carrier Lifetime in 300-mm Si Wafers During a High Thermal Budget Process
Yuan, J., Cai, B., Miyamura, Y., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 2025, (印刷中) In: IEEE Journal of the Electron Devices Society.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
Study on dislocation propagation in 300-mm Si wafer during a high thermal budget process
Yuan, J., Cai, B., Miyamura, Y., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 12月 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 200, 109977.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access1 被引用数 (Scopus) -
A Model of Wafer Warpage for Trench Field-Plate Power MOSFETs
Kato, H., Cai, B., Yuan, J., Miyamura, Y., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 10月 2024, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 221, 20, 2400264.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access4 被引用数 (Scopus) -
Study on stress in trench structures during silicon IGBTs process-oxidation
Cai, B., Yuan, J., Miyamura, Y., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 3月 1 2024, In: Japanese journal of applied physics. 63, 3, 03SP16.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access3 被引用数 (Scopus)