年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Yoshiji Miyamuraが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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過去5年の共同研究と上位研究分野
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Study on stress in trench structures during silicon IGBTs process-oxidation
Cai, B., Yuan, J., Miyamura, Y., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 3月 1 2024, In: Japanese journal of applied physics. 63, 3, 03SP16.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process
Yuan, J., Miyamura, Y., Nakano, S., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 2023, 7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthen the Global Semiconductor Research Collaboration After the Covid-19 Pandemic, EDTM 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthen the Global Semiconductor Research Collaboration After the Covid-19 Pandemic, EDTM 2023).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
2 被引用数 (Scopus) -
Carbon monoxide concentrations in a Czochralski growth furnace
Miyamura, Y., Harada, H., Nakano, S., Nishizawa, S. & Kakimoto, K., 3月 15 2021, In: Journal of Crystal Growth. 558, 126015.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
3d numerical analysis of the asymmetric three-phase line of floating zone for silicon crystal growth
Han, X. F., Liu, X., Nakano, S., Harada, H., Miyamura, Y. & Kakimoto, K., 2月 2020, In: Crystals. 10, 2, 121.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access2 被引用数 (Scopus) -
3D numerical study of the asymmetric phenomenon in 200 mm floating zone silicon crystal growth
Han, X. F., Liu, X., Nakano, S., Harada, H., Miyamura, Y. & Kakimoto, K., 2月 15 2020, In: Journal of Crystal Growth. 532, 125403.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
5 被引用数 (Scopus)