年別の研究成果
年別の研究成果
検索結果
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2024
Atomic structures and electronic properties of semiconductor interfaces
Nakayama, T., Kangawa, Y. & Shiraishi, K., 1月 1 2024, Comprehensive Semiconductor Science and Technology, Second Edition: Volumes 1-3. Elsevier, Vol. 1. p. V1:73-V1:133研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 章
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2018
Atomic arrangement and in composition in InGaN quantum wells
Kangawa, Y., 2018, Springer Series in Materials Science. Springer Verlag, p. 109-124 16 p. (Springer Series in Materials Science; vol. 269).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 章
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Thermodynamic approach to InN epitaxy
Kangawa, Y., 2018, Springer Series in Materials Science. Springer Verlag, p. 95-108 14 p. (Springer Series in Materials Science; vol. 269).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 章
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2015
Ab initio-Based Approach to Crystal Growth: Chemical Potential Analysis
Ito, T. & Kangawa, Y., 1月 1 2015, Fundamentals. Elsevier Inc., Vol. 1. p. 477-520 44 p.研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 章
1 被引用数 (Scopus) -
2011
Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces
Nakayama, T., Kangawa, Y. & Shiraishi, K., 1月 28 2011, Comprehensive Semiconductor Science and Technology. Bhattacharya, P., Fornari, R. & Kamimura, H. (eds.). 1 ed. Elsevier Inc., Vol. 1. p. 113-174 62 p. 1.04研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 章
26 被引用数 (Scopus)