メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
九州大学 Pure ポータルサイト ホーム
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
プロジェクト
研究成果
データセット
活動
プレス/メディア
受賞
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
寒川 義裕
教授
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100022566_ja.html
h-index
1835
被引用数
23
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1999 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(162)
類似のプロファイル
(6)
フィンガープリント
Yoshihiro Kangawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics
Growth
94%
Calculation
36%
Vapor Phase Epitaxy
28%
Thermodynamics
26%
Atoms
21%
Thin Films
21%
Gases
21%
Thermodynamic Analysis
20%
Substrates
19%
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
19%
Temperature
19%
Pressure
19%
Stability
19%
Solid State
18%
Model
17%
Ratios
16%
First-Principles
16%
Silicon
15%
Region
14%
Nitrogen
13%
Adsorption
12%
Impurities
12%
Simulation
11%
Solidification
11%
Adatoms
10%
Crystals
9%
Molecular Beam Epitaxy
9%
Vapor Phase
8%
Thermal Conductivity
8%
Ingot
8%
Decomposition
8%
Hydrogen
8%
Dislocation
8%
High Temperature
8%
Phase Diagrams
8%
Sites
7%
Growth Rate
7%
Zinc Sulfide
7%
Kinetics
7%
Energy Gaps (Solid State)
7%
Epitaxy
6%
Differences
6%
Laser
6%
Structural Stability
6%
Crystal Growth
6%
Entropy
6%
Rotation
6%
Alloy
6%
Laser Pulse
5%
Algorithms
5%
Chemistry
Surface
90%
Procedure
35%
Vapor Phase Epitaxy
27%
Atom
27%
Reaction Temperature
23%
Thermodynamics
16%
Energy
16%
Organic Metal
15%
Structure
14%
Metallorganic Chemical Vapor Deposition
13%
Decomposition
13%
Monte Carlo Method
12%
Epitaxial Growth
12%
Pressure
12%
Chemical Reaction
11%
Desorption
11%
Adatoms
11%
Ab Initio Calculation
11%
Molecular Dynamics
11%
Potential
10%
Semiconductor
9%
Concentration
9%
Phase Diagrams
9%
Ammonia
9%
Chemical Potential
9%
Analytical Method
9%
Gas
9%
X-Ray Diffraction
9%
Partial Pressure
9%
First Principle
9%
Enthalpy
9%
Liquid Film
8%
Thermodynamic Analysis
8%
Carbon
7%
Surface Reconstruction
7%
Adsorption
7%
Nitrogen
6%
Doping
6%
Entropy
6%
Density
6%
Interatomic Potential
6%
Chemical Kinetics Characteristics
6%
Solid
6%
Hydrogen
6%
Diffusion
6%
Impurity
6%
Aqueous Solution
6%
Crystal Growth
5%
Phase Composition
5%
Simulation
5%
Material Science
Surface
100%
Aluminum Nitride
50%
Thin Films
33%
Gallium Arsenide
30%
Gas
23%
Vapor Phase Epitaxy
22%
Buffer Layer
15%
Liquid Films
15%
Solid
14%
Temperature
13%
Crystal
12%
Impurity
11%
Material
11%
Solution
10%
Dislocation
9%
Crystal Growth
9%
Metal
8%
Epitaxy
8%
Semiconductor Material
8%
Density
8%
Nitride Semiconductor
7%
Gallium Nitride
7%
Surface Reconstruction
7%
Defect
7%
Growth Rate
6%
Surface (Surface Science)
6%
Monolayers
6%
Compound Semiconductor
5%
Adsorption
5%
Desorption
5%
Vapor
5%
Epilayers
5%
Solvent
5%
Epitaxial Layer
5%
