メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
九州大学 ホーム
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
プロジェクト
研究成果
データセット
活動
プレス/メディア
受賞
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
齋藤 渉
教授
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K007244/index.html
h-index
2988
被引用数
25
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
2003
2023
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(130)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Wataru Saitoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Switching
Engineering
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
Engineering
83%
High Voltage
Engineering
83%
Fields
Engineering
74%
Applications
Engineering
71%
Field Effect Transistor
Physics
65%
Design
Engineering
64%
Avalanche
Physics
57%
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
リストから国/地域を選択
詳細を開く
国/地域を選択して、共有出版物とプロジェクトを表示
閉じる
リストから国/地域を選択
研究成果
年別の研究成果
2003
2007
2015
2020
2021
2022
2023
2023
57
会議への寄与
57
学術誌
9
会議記事
6
学会誌
1
その他
1
総説
年別の研究成果
年別の研究成果
Adjustable Current Limiting Function with a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device
Takamori, T.
,
Wada, K.
,
Boettcher, N.
,
Erlbacher, T.
,
Saito, W.
&
Nishizawa, S. I.
,
2023
, (印刷中)
In:
IEEE Transactions on Industry Applications.
p. 1-9
9 p.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Open Access
Detection
100%
Circuit Breaker
100%
Devices
100%
Electronic Circuit
100%
Networks (Circuits)
66%
1
被引用数 (Scopus)
A simple sensor device for power cycle degradation sensing
Tsukamoto, T.
,
Nishizawa, S. I.
&
Saito, W.
,
8月 2023
,
In:
Microelectronics Reliability.
147
, 115068.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Mechanical Stress
100%
Sensor Device
100%
Power Cycle
100%
Detection
66%
Characteristics
33%
Automatic total performance design of low-voltage power MOSFETs using zoomed response surface method
Saito, W.
,
4月 1 2023
,
In:
Japanese journal of applied physics.
62
,
SC
, SC0803.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Open Access
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Design
50%
Low Voltage
37%
Response Surface Method
37%
Simulation
25%
Degradation and Recovery of GaN HEMTs in Overvoltage Hard Switching Near Breakdown Voltage
Kozak, J. P.
,
Song, Q.
,
Zhang, R.
,
Ma, Y.
,
Liu, J.
,
Li, Q.
,
Saito, W.
&
Zhang, Y.
,
1月 1 2023
,
In:
IEEE Transactions on Power Electronics.
38
,
1
,
p. 435-446
12 p.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
High Electron Mobility Transistors
100%
Electrical Fault
100%
Overvoltage
100%
Electron Mobility
100%
Breakdown Voltage
100%
13
被引用数 (Scopus)
Enhancement of turn-off gate voltage waveform change by digital gate control for bond wire lift-off detection in IGBT module
Mamee, T.
,
Lou, Z.
,
Hata, K.
,
Takamiya, M.
,
Nishizawa, S. I.
&
Saito, W.
,
8月 2023
,
In:
Microelectronics Reliability.
147
, 115067.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Detection
100%
Electric Potential
100%
Bipolar Transistor
100%
Failure
33%
Control Vector
20%