年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Wataru Saitoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
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A Future Outlook of Power Devices from the Viewpoint of Power Electronics Trends
Saito, W., 3月 1 2024, In: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 3, p. 1356-1364 9 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Digital Active Gate Driving Automatically Minimizing Switching Loss While Keeping Surge Current Below User-Specified Target
Inuma, T., Zhang, D., Hata, K., Mikami, K., Hatori, K., Tanaka, K., Saito, W. & Takamiya, M., 2024, 2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC 2024 ECCE Asia. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 2372-2377 6 p. (2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC 2024 ECCE Asia).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Estimating of IGBT Bond Wire Lift-Off Trend Using Convolutional Neural Network (CNN)
Mamee, T., Lou, Z., Hata, K., Takamiya, M., Sakurai, T., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 2024, In: IEEE Access. 12, p. 96936-96945 10 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
IGBT ターンオフスイッチングにおけるサージ電圧解析
Fujimoto, Y., Nishizawa, S. & Saito, W., 3月 2024, In: IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 144, 3, p. 198-203 6 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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Impact of p-Gate Contact in GaN-HEMTs on Overvoltage Stress Failure
Saito, W. & Nishizawa, S. I., 6月 1 2024, In: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 6, p. 3590-3595 6 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読