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Scopus著者プロファイル
西澤 伸一
教授
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100022568_ja.html
h-index
1958
被引用数
23
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1988 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(229)
類似のプロファイル
(3)
研究成果
年別の研究成果
1988
2000
2002
2019
2020
2022
2023
2025
127
学術誌
76
会議への寄与
18
会議記事
3
学会誌
5
その他
2
総説
1
章
1
コメント/討論
1
編集
年別の研究成果
年別の研究成果
2 件
出版年、タイトル
(降順)
出版年、タイトル
(昇順)
タイトル
タイプ
フィルター
総説
検索結果
2022
Investigation of turn-on performance in 1.2 kV MOS-bipolar devices
Luo, P., Madathil, S. N. E.,
Saito, W.
&
Nishizawa, S. I.
,
2022
,
In:
Japanese journal of applied physics.
61
, SC0801.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
総説
›
査読
Open Access
Simulation
100%
Performance
100%
Technology
100%
Rules
100%
Impact
50%
2
被引用数 (Scopus)
2012
Chloride-based CVD growth of silicon carbide for electronic applications
Pedersen, H., Leone, S., Kordina, O., Henry, A.,
Nishizawa, S. I.
, Koshka, Y. & Janzén, E.,
4月 11 2012
,
In:
Chemical Reviews.
112
,
4
,
p. 2434-2453
20 p.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
総説
›
査読
Electronics
100%
Silicon Carbide
100%
Chemical Vapor Deposition
75%
Applications
50%
Silicon
50%
110
被引用数 (Scopus)