年別の研究成果
年別の研究成果
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2022
Paralleled SiC MOSFETs DC Circuit Breaker with SiC MPS Diode as Avalanche Voltage Clamping
Takamori, T., Wada, K., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 2022, p. 225-229. 5 p.研究成果: 会議への寄与タイプ › 学会誌 › 査読
8 被引用数 (Scopus) -
2013
4.5 kV - 400 A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair module for high switching frequency operation
Takao, K., Wada, K., Sung, K., Mastuoka, Y., Tanaka, Y., Nishizawa, S., Kanai, T., Shinohe, T. & Ohashi, H., 2013.研究成果: 会議への寄与タイプ › 学会誌 › 査読
3 被引用数 (Scopus) -
2005
Numerical simulation of SIC processes: A characterization tool for the design of epitaxial structures in electronics
Pons, M., Nishizawa, S., Wellmann, P., Ucar, M., Blanquet, E., Dedulle, J. M., Baillet, F., Chaussende, D., Bernard, C. & Madar, R., 2005, p. 1-12. 12 p.研究成果: 会議への寄与タイプ › 学会誌 › 査読