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プロファイル
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Scopus著者プロファイル
西澤 伸一
教授
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100022568_ja.html
h-index
1971
被引用数
23
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1988 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(230)
類似のプロファイル
(3)
フィンガープリント
Shinichi Nishizawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics
Avalanche
26%
Behavior
10%
Calculation
8%
Capacitance
11%
Controllability
18%
Crystal Growth
26%
Crystals
95%
Defects
34%
Diode
18%
Dislocation
26%
Electric Fields
8%
Electric Potential
28%
Evaluation
9%
Fabrication
13%
Field Effect Transistor
12%
Gases
19%
Growth
100%
Growth Rate
26%
High Temperature
9%
Impact
9%
Impurities
9%
Inclusions
9%
Independent Variables
10%
Injection
9%
Magnetic Fields
17%
Model
11%
Nitrogen
17%
Performance
12%
Pressure
15%
Quality
19%
Ratios
19%
Region
18%
Schottky Diode
19%
Silicon
36%
Silicon Carbide
46%
Simulation
49%
Single Crystal Growth
18%
Single Crystals
34%
Solid State
14%
Stability
9%
Sublimation Growth
22%
Substrates
10%
Switching
12%
Technology
19%
Temperature
21%
Temperature Distribution
13%
Value
11%
Vapor
13%
Wafer
16%
X Ray
12%
Engineering
Applications
18%
Breakdown Voltage
10%
Carrier Lifetime
16%
Characteristics
31%
Chemical Mechanical Polishing
10%
Chemical Vapor Deposition
21%
Circuit Breaker
23%
Defects
14%
Design
33%
Digital Gate
16%
Direct Current Circuit Breaker
10%
Electric Potential
32%
Enhancement
13%
Evaluation
21%
Experimental Result
21%
Experiments
9%
Fabrication
9%
Fields
12%
Gate Capacitance
13%
Gate Voltage
20%
Handling Quality
22%
High Current Density
9%
Hybrid
18%
Insulated Gate Bipolar Transistor
42%
Inverter
10%
Link Capacitor
11%
Loss Reduction
9%
Losses
31%
Low Voltage
13%
Measurement
10%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
27%
Minority Carrier
10%
Modules
21%
Networks (Circuits)
23%
Overvoltage
12%
Performance
10%
Power Converter
10%
Power Device
28%
Power Loss
28%
Reduction
10%
Reliability
12%
Silicon
10%
Simulation
21%
Simulation Result
10%
Substrates
15%
Surfaces
24%
Switching
26%
Switching Frequency
11%
Switching Loss
11%
Temperature
12%
Earth and Planetary Sciences
Avalanche
7%
Carbon
8%
Condition
5%
Contamination
5%
Convection
5%
Crystal
28%
Crystal Growth
13%
Defect
8%
Dimension
5%
Electric Potential
7%
Electrical Fault
7%
Emitter
5%
Gas
6%
Growth
21%
Growth Rate
10%
High Temperature
5%
Inclusion
7%
Investigation
11%
Magnetic Field
13%
Melt
14%
Mesas
5%
Model
6%
Module
7%
Product
5%
Quality
5%
Science and Technology
9%
Silicon
17%
Silicon Carbide
13%
Simulation
9%
Single Crystal
5%
Sublimation
5%
Substrate
5%
Switching
5%
Variation
8%
