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プロファイル
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Scopus著者プロファイル
西澤 伸一
教授
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100022568_ja.html
h-index
1958
被引用数
23
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1988 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(229)
類似のプロファイル
(3)
フィンガープリント
Shinichi Nishizawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics
Growth
100%
Crystals
95%
Simulation
49%
Silicon Carbide
46%
Silicon
36%
Single Crystals
34%
Defects
34%
Electric Potential
28%
Avalanche
26%
Crystal Growth
26%
Growth Rate
26%
Dislocation
26%
Sublimation Growth
22%
Temperature
21%
Schottky Diode
19%
Gases
19%
Technology
19%
Ratios
19%
Quality
19%
Controllability
18%
Region
18%
Diode
18%
Single Crystal Growth
18%
Magnetic Fields
17%
Nitrogen
17%
Wafer
16%
Pressure
15%
Solid State
14%
Temperature Distribution
13%
Vapor
13%
Fabrication
13%
Field Effect Transistor
12%
Switching
12%
X Ray
12%
Performance
12%
Capacitance
11%
Value
11%
Model
11%
Independent Variables
10%
Substrates
10%
Behavior
10%
Stability
9%
Impurities
9%
High Temperature
9%
Inclusions
9%
Impact
9%
Evaluation
9%
Injection
9%
Electric Fields
8%
Calculation
8%
Engineering
Insulated Gate Bipolar Transistor
42%
Design
33%
Electric Potential
32%
Losses
31%
Characteristics
31%
Power Loss
28%
Power Device
28%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
27%
Switching
26%
Surfaces
24%
Networks (Circuits)
23%
Circuit Breaker
23%
Handling Quality
22%
Simulation
21%
Modules
21%
Evaluation
21%
Chemical Vapor Deposition
21%
Experimental Result
19%
Applications
18%
Hybrid
18%
Carrier Lifetime
16%
Gate Voltage
16%
Substrates
15%
Defects
14%
Enhancement
13%
Gate Capacitance
13%
Digital Gate
13%
Low Voltage
13%
Overvoltage
12%
Reliability
12%
Temperature
12%
Fields
12%
Link Capacitor
11%
Switching Frequency
11%
Switching Loss
11%
Silicon
10%
Reduction
10%
Power Converter
10%
Inverter
10%
Measurement
10%
Simulation Result
10%
Breakdown Voltage
10%
Direct Current Circuit Breaker
10%
Performance
10%
Minority Carrier
10%
Chemical Mechanical Polishing
10%
Experiments
9%
High Current Density
9%
Loss Reduction
9%
Fabrication
9%
Earth and Planetary Sciences
Crystal
28%
Growth
21%
Silicon
17%
Melt
14%
Magnetic Field
13%
Silicon Carbide
13%
Crystal Growth
13%
Investigation
11%
Growth Rate
10%
Simulation
9%
Science and Technology
9%
Defect
8%
Carbon
8%
Variation
8%
Electric Potential
7%
Inclusion
7%
Avalanche
7%
Electrical Fault
7%
Module
7%
Gas
6%
Model
6%
Convection
5%
Switching
5%
Condition
5%
Sublimation
5%
Quality
5%
Substrate
5%
High Temperature
5%
Contamination
5%
Emitter
5%
Dimension
5%
Product
5%
Mesas
5%
Single Crystal
5%
