年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Shinichi Nishizawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 2 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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Analysis of Relationship between Gate Drive Condition and Detection Sensitivity of Bond Wire Lift-Off in IGBT Modules using Convolutional Neural Networks (CNNs)
Mamee, T., Hata, K., Takamiya, M., Sakurai, T., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 2026, 2026 International Power Electronics Conference, IPEC-Nagasaki 2026 - ECCE Asia. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2026 International Power Electronics Conference, IPEC-Nagasaki 2026 - ECCE Asia).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
Open Access -
A new online monitoring method to detect thermal resistance via turbo sampling of plateau voltage
Watabe, K., Nakamura, K., Mori, T., Kusunoki, S., Nakano, S., Sakurai, T., Takamiya, M., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 6月 2026, In: Microelectronics Reliability. 181, 116130.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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Detection of Wire Lift-Off in Si-IGBTs and SiC-MOSFETs Using Machine Learning on Switching Waveforms
Idei, K., Mamee, T., Lutzen, H., Kaminski, N., Hata, K., Takamiya, M., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 2026, In: IEEE Open Journal of Power Electronics. 7, p. 907-927 21 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access1 リンクは新しいタブで開きます 被引用数 (Scopus) -
Difference in Overvoltage Stress Behavior between CIS and UIS in Ohmic p-Gate GaN HEMTs
Saito, W. & Nishizawa, S. I., 2026, 2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2026. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 185-188 4 p. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
Open Access -
Experimental demonstration of power cycling sensors integrated into a power device chip
Okame, K., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 2月 2026, In: Microelectronics Reliability. 177, 115990.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読