年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Shinichi Nishizawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
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A screening test of GaN-HEMTs for improvement of breakdown voltage uniformity
Saito, W. & Nishizawa, S. I., 5月 2025, In: Microelectronics Reliability. 168, 115643.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
A Warpage Prediction Model for Trench Field-Plate Power MOSFET in 300mm-Diameter Process
Kato, H., Cai, B., Yuan, J., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 2025, In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 38, 2, p. 263-269 7 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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High Temperature Operation of Digital Gate Driver Integrated into a Power Module
Saiga, K., Zaizen, S., Nakano, S., Kusunoki, S., Watabe, K., Hata, K., Takamiya, M., Nishizawa, S. & Saito, W., 2025, APEC 2025 - 14th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 2551-2555 5 p. (Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Improvement of sensitivity for power cycle degradation by a new device structure
Okame, K., Yamakita, Y., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 5月 2025, In: Microelectronics Reliability. 168, 115713.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
Modeling and Designing a GaN-Growth Reactor With Halogen-Free Vapor Phase Epitaxy: NH3 Decomposition at the Catalytic Surface of Components to Replicate Parasitic Polycrystal Formation
Shimazu, H., Nishizawa, S. I., Nitta, S., Amano, H. & Nakamura, D., 2025, In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 38, 2, p. 311-323 13 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読