年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Keisuke Yamamotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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過去5年の共同研究と上位研究分野
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Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics
Wen, W. C., Wang, D., Nakashima, H. & Yamamoto, K., 8月 1 2023, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 162, 107504.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation
Nagano, T., Hara, R., Moto, K., Yamamoto, K. & Sadoh, T., 10月 2023, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 165, 107692.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature—the importance of Coulomb scattering suppression
Yamamoto, K., Wang, D., Nakashima, H., Hishiki, S., Uratani, H., Sakaida, Y. & Kawamura, K., 7月 1 2022, In: Applied Physics Express. 15, 7研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
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Fabrication of Ge-on-Insulator by Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optoelectronics Applications
Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 2021, 240th ECS Meeting - Semiconductor Process Integration 12. 4 ed. IOP Publishing Ltd., p. 157-166 10 p. 157. (ECS Transactions; vol. 104, no. 4).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Schottky barrier height control at metal/Ge interface by insertion of nitrogen contained amorphous layer
Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 2021, 239th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors, IMCS 2021 - High Purity and High Mobility Semiconductors 16. Simoen, E., Kononchuk, O., Nakatsuka, O. & Claeys, C. (eds.). 4 ed. IOP Publishing Ltd., p. 63-71 9 p. (ECS Transactions; vol. 102, no. 4).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与