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Scopus著者プロファイル
Wang Dong
教授
国立大学法人 九州大学
,
Energy Engineering Sciences
https://orcid.org/0000-0003-0634-953X
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100021755_ja.html
h-index
967
被引用数
18
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1998 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(140)
活動
(4)
類似のプロファイル
(6)
フィンガープリント
Dong Wangが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Material Science
Al2O3
56%
Aluminum Oxide
9%
Amorphous Material
46%
Amorphous Metal
11%
Annealing
40%
Boron Nitride
28%
Capacitor
34%
Carrier Mobility
9%
Characterization
33%
Deep-Level Transient Spectroscopy
41%
Defect
90%
Density
32%
Devices
50%
Dielectric Material
10%
Electrical Property
43%
Electrical Resistivity
9%
Etching
23%
Field Effect Transistors
35%
Finite Element Modeling
9%
Gas
9%
Germanium
55%
Gettering
27%
Hole Mobility
23%
Irradiation
10%
Liquid Films
37%
Material
22%
Membrane
45%
Metal
26%
Metal Oxide
30%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
82%
Metallization
9%
Micro-Raman Spectroscopy
9%
Nanosheet
9%
Nitride Compound
9%
Optical Device
9%
Oxide
28%
Oxide Semiconductor
40%
Passivation
29%
Permittivity
15%
Photoluminescence
36%
Semiconductor Device
17%
Semiconductor Structure
11%
Single Crystal
8%
Sputter Deposition
18%
Strain
20%
Structural Property
7%
Surface
46%
Surface Passivation
26%
Temperature
22%
Yttrium
9%
Physics
Achievement
11%
Annealing
37%
Atoms
10%
Behavior
13%
Capacitance
21%
Capacitor
18%
Carrier Mobility
9%
Condensation
19%
Conduction Band
13%
Defects
39%
Deposition
33%
Diode
17%
Electrical Properties
29%
Electrical Resistivity
13%
Electroluminescence
12%
Electron Cyclotron Resonance
19%
Evaluation
14%
Fabrication
42%
Field Effect Transistor
49%
Fractions
39%
Germanium
15%
Increasing
10%
Insulators
100%
Laser
21%
Media
13%
Membrane
11%
Metal
79%
Metal Nitrides
24%
Minority Carriers
17%
Mobility
25%
Model
24%
Nitrogen
16%
Oxidation
14%
Oxide
19%
Passivity
10%
Photoluminescence
51%
Photon Absorption
32%
Photons
56%
Quality
11%
Region
16%
Schottky Barrier Height
23%
Sodium
20%
Substrates
54%
Targets
13%
Temperature
40%
Transients
23%
Utilization
10%
Value
11%
Vapor
27%
Wafer
43%
Engineering
Annealing
38%
Annealing Temperature
9%
Applications
11%
Atomic Layer Deposition
9%
Barrier Height
13%
Capacitance
23%
Characteristics
15%
Compressive Strain
20%
Convergent Beam Electron Diffraction
12%
Defects
46%
Density
64%
Device Performance
8%
Doping Level
9%
Drain Junction
10%
Dry Oxidation
10%
Energy Gap
22%
Evaluation
25%
Fabrication
36%
Fermi Level
10%
Field-Effect Transistor
13%
Fields
15%
Finite Element Modeling
9%
Gate Dielectric
14%
Gate Stack
45%
Ge Substrate
12%
Germanium
18%
Interface State
39%
Interlayer
27%
Local Strain
10%
Lutetium
9%
Membrane
45%
Metal Oxide Semiconductor
70%
Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor
12%
Metallizations
13%
Minority Carrier
16%
Models
10%
Ohmic Contacts
9%
Oxidation Reaction
12%
Oxide Thickness
25%
Passivation
12%
Photons
18%
Reduction
15%
Related Defect
18%
Strain Relaxation
14%
Substrates
38%
Temperature
13%
Thickness
30%
Transients
23%
Type Metal
12%
Yttrium Oxide
9%
