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プロファイル
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Scopus著者プロファイル
Wang Dong
教授
国立大学法人 九州大学
,
Energy Engineering Sciences
https://orcid.org/0000-0003-0634-953X
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/html/100021755_ja.html
h-index
965
被引用数
18
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1998 …
2025
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(139)
活動
(4)
類似のプロファイル
(6)
フィンガープリント
Dong Wangが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Material Science
Defect
90%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
82%
Al2O3
56%
Germanium
55%
Devices
50%
Surface
46%
Amorphous Material
46%
Membrane
45%
Electrical Property
43%
Deep-Level Transient Spectroscopy
41%
Annealing
40%
Liquid Films
37%
Oxide Semiconductor
37%
Capacitor
34%
Characterization
33%
Density
32%
Photoluminescence
30%
Passivation
29%
Boron Nitride
28%
Oxide
28%
Gettering
27%
Metal Oxide
27%
Metal
26%
Field Effect Transistors
26%
Surface Passivation
26%
Hole Mobility
23%
Etching
23%
Temperature
22%
Material
22%
Strain
20%
Sputter Deposition
18%
Permittivity
15%
Semiconductor Device
13%
Amorphous Metal
11%
Semiconductor Structure
11%
Irradiation
10%
Dielectric Material
10%
Optical Device
9%
Carrier Mobility
9%
Gas
9%
Metallization
9%
Nitride Compound
9%
Micro-Raman Spectroscopy
9%
Finite Element Modeling
9%
Yttrium
9%
Electrical Resistivity
9%
Aluminum Oxide
9%
Single Crystal
8%
Structural Property
7%
Dielectric Films
7%
Physics
Insulators
100%
Metal
79%
Photons
56%
Substrates
54%
Photoluminescence
51%
Field Effect Transistor
49%
Wafer
43%
Fabrication
42%
Temperature
40%
Defects
39%
Fractions
39%
Annealing
37%
Deposition
33%
Photon Absorption
32%
Electrical Properties
29%
Vapor
27%
Mobility
25%
Metal Nitrides
24%
Model
24%
Schottky Barrier Height
23%
Transients
23%
Capacitance
21%
Laser
21%
Sodium
20%
Oxide
19%
Electron Cyclotron Resonance
19%
Condensation
19%
Capacitor
18%
Diode
17%
Minority Carriers
17%
Nitrogen
16%
Region
16%
Germanium
15%
Oxidation
14%
Evaluation
14%
Targets
13%
Electrical Resistivity
13%
Media
13%
Conduction Band
13%
Behavior
13%
Electroluminescence
12%
Value
11%
Membrane
11%
Quality
11%
Achievement
11%
Atoms
10%
Utilization
10%
Increasing
10%
Passivity
10%
Carrier Mobility
9%
Engineering
Metal Oxide Semiconductor
70%
Density
64%
Defects
46%
Gate Stack
45%
Membrane
45%
Interface State
39%
Substrates
38%
Annealing
38%
Fabrication
36%
Thickness
30%
Interlayer
27%
Oxide Thickness
25%
Evaluation
25%
Transients
23%
Capacitance
23%
Energy Gap
22%
Compressive Strain
20%
Germanium
18%
Photons
18%
Related Defect
18%
Minority Carrier
16%
Fields
15%
Characteristics
15%
Reduction
15%
Gate Dielectric
14%
Strain Relaxation
14%
Field-Effect Transistor
13%
Metallizations
13%
Temperature
13%
Barrier Height
13%
Oxidation Reaction
12%
Passivation
12%
Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor
12%
Type Metal
12%
Convergent Beam Electron Diffraction
12%
Ge Substrate
12%
Applications
11%
Models
10%
Local Strain
10%
Fermi Level
10%
Drain Junction
10%
Dry Oxidation
10%
Doping Level
9%
Annealing Temperature
9%
Ohmic Contacts
9%
Finite Element Modeling
9%
Lutetium
9%
Yttrium Oxide
9%
Atomic Layer Deposition
9%
Device Performance
8%
