Dong Wang

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年別の研究成果

外部ポジション

助教, Jilin University

6月 29 1999 → 11月 30 2001

フィンガープリント

Dong Wangが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

1 類似のプロファイル

91 学術誌
23 学会誌
21 会議への寄与
3 会議記事
その他
- 1 コメント/討論

Al₂O₃ growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices
Aso, T., Kuwazuru, H., Wang, D. & Yamamoto, K., 5月 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 190, 109372.
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

Open Access
Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback method
Shimizu, N., Wang, D., Nakashima, H. & Yamamoto, K., 2024, In: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13, 044001, 044001.
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

Open Access
Ge-on-insulator fabrication based on Ge-on-nothing technology
Yamamoto, K., Wang, D., Loo, R., Porret, C., Cho, J., Dessein, K. & Depauw, V., 4月 1 2024, In: Japanese journal of applied physics. 63, 4, 04SP32.
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

Open Access
Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology
Yamamoto, K., Wang, D., Loo, R., Porret, C., Cho, J., Dessein, K. & Depauw, V., 4月 2 2024, In: Japanese Journal of Applied Physics. 63, 04SP32, p. 04SP32
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

Open Access
Low temperature (210 °C) fabrication of Ge MOS capacitor and controllability of its flatband voltage
Kuwazuru, H., Aso, T., Wang, D. & Yamamoto, K., 8月 1 2024, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 178, 108427.
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

Open Access
1 被引用数 (Scopus)

4 招待講演

Thermally Oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-Mos Capacitor and Field-Effect Transistor
Yamamoto, K. (招待講演者), Wen, W. C. (講演者), Wang, D. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
10月 9 2023
活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演
Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology
Yamamoto, K. (招待講演者), Matsuo, T. (講演者), Wang, D. (講演者), Moto, K. (講演者), Toko, K. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
8月 3 2022
活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演
Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications
Yamamoto, K. (招待講演者), Wang, D. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
10月 10 2021 → 10月 14 2021
活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演
Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer
Yamamoto, K. (招待講演者), Wang, D. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
5月 30 2021 → 6月 3 2021
活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演

Wang Dong

研究者プロファイル

外部ポジション

フィンガープリント

過去5年の共同研究と上位研究分野

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Al₂O₃ growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices

Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback method

Ge-on-insulator fabrication based on Ge-on-nothing technology

Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology

Low temperature (210 °C) fabrication of Ge MOS capacitor and controllability of its flatband voltage

Thermally Oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-Mos Capacitor and Field-Effect Transistor

Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology

Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications

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