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2020
Erratum: Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)
Wen, W. C., Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 4月 30 2020, In: Journal of Applied Physics. 127, 16, 169901.
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