Energy Engineering Sciences

2025

Al₂O₃ growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices

Aso, T., Kuwazuru, H., Wang, D. & Yamamoto, K., 5月 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 190, 109372.

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Open Access

Epitaxial Si/SiGe Multi-Stacks: From Stacked Nano-Sheet to Fork-Sheet and CFET Devices

Loo, R., Akula, A., Shimura, Y., Porret, C., Rosseel, E., Dursap, T., Hikavyy, A. Y., Beggiato, M., Bogdanowicz, J., Merkulov, A., Ayyad, M., Han, H., Richard, O., Impagnatiello, A., Wang, D., Yamamoto, K., Sipőcz, T., Kerekes, Mertens, H. & Horiguchi, N. & 1 others, Langer, R., 1月 2025, In: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 14, 1, 015003.

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Open Access

2 被引用数 (Scopus)

2024

Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback method

Shimizu, N., Wang, D., Nakashima, H. & Yamamoto, K., 2024, In: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13, 044001, 044001.

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Open Access

Ge-on-insulator fabrication based on Ge-on-nothing technology

Yamamoto, K., Wang, D., Loo, R., Porret, C., Cho, J., Dessein, K. & Depauw, V., 4月 1 2024, In: Japanese journal of applied physics. 63, 4, 04SP32.

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Open Access

1 被引用数 (Scopus)

Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology

Yamamoto, K., Wang, D., Loo, R., Porret, C., Cho, J., Dessein, K. & Depauw, V., 4月 2 2024, In: Japanese Journal of Applied Physics. 63, 04SP32, p. 04SP32

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Open Access

Low temperature (210 °C) fabrication of Ge MOS capacitor and controllability of its flatband voltage

Kuwazuru, H., Aso, T., Wang, D. & Yamamoto, K., 8月 1 2024, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 178, 108427.

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Open Access

1 被引用数 (Scopus)

Low Temperature (210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor and Controllability of Its Flatband Voltage

Kuwazuru, H., Aso, T., Wang, D. & Yamamoto, K., 8月 2024, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 178, 108427, p. 108427

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Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization

Huang, L., Moto, K., Igura, K., Ishiyama, T., Toko, K., Wang, D. & Yamamoto, K., 1月 5 2024, In: Japanese Journal of Applied Physics. 63, p. 02SP42

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3 被引用数 (Scopus)

2023

Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics

Wen, W. C., Wang, D., Nakashima, H. & Yamamoto, K., 8月 1 2023, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 162, 107504.

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1 被引用数 (Scopus)

Fabrication of transparent Ce³⁺-doped (Gd,Lu)₃Al₅O₁₂ ceramics by two-step spark plasma sintering

Lee, J. H., Kim, B. N., Li, J. G. & Jang, B. K., 2月 1 2023, In: Ceramics International. 49, 3, p. 4839-4845 7 p.

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Open Access

3 被引用数 (Scopus)

Interaction of Gd₂Si₂O₇ with CMAS melts for environmental barrier coatings

Kim, S. H., Nagashima, N., Matsushita, Y. & Jang, B. K., 2月 2023, In: Journal of the European Ceramic Society. 43, 2, p. 593-599 7 p.

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Open Access

9 被引用数 (Scopus)

2022

Characterization of ZnO thermoelectric ceramics and their microstructures consolidated by two-step spark plasma sintering

Jeong, A., Ohtaki, M. & Jang, B. K., 11月 1 2022, In: Journal of the Ceramic Society of Japan. 130, 11, p. 889-894 6 p.

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Open Access

4 被引用数 (Scopus)

Effect of isothermal heat treatment on nanoindentation hardness and Young's modulus of 4 mol% Y₂O₃-ZrO₂ EB-PVD TBCs

Jang, B. K., Kim, S. H., Fisher, C. A. J. & Kim, H. T., 6月 2022, In: Materials Today Communications. 31, 103330.

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Open Access

8 被引用数 (Scopus)

High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature—the importance of Coulomb scattering suppression

Yamamoto, K., Wang, D., Nakashima, H., Hishiki, S., Uratani, H., Sakaida, Y. & Kawamura, K., 7月 1 2022, In: Applied Physics Express. 15, 7

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1 被引用数 (Scopus)

Reaction between environmental barrier coatings material Er₂Si₂O₇ and a calcia-magnesia-alumina-silica melt

Kim, S. H., Fisher, C. A. J., Nagashima, N., Matsushita, Y. & Jang, B. K., 6月 15 2022, In: Ceramics International. 48, 12, p. 17369-17375 7 p.

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Open Access

19 被引用数 (Scopus)

Thermoelectric performance of In and Ga single/dual-doped ZnO ceramics fabricated by spark plasma sintering

Jeong, A., Ohtaki, M. & Jang, B. K., 5月 15 2022, In: Ceramics International. 48, 10, p. 14414-14423 10 p.

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Open Access

9 被引用数 (Scopus)

2021

Corrosion behavior of calcium–magnesium–aluminosilicate (CMAS) on sintered Gd₂SiO₅ for environmental barrier coatings

Kim, S. H., Nagashima, N., Matsushita, Y., Kim, B. N. & Jang, B. K., 7月 2021, In: Journal of the American Ceramic Society. 104, 7, p. 3119-3129 11 p.

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15 被引用数 (Scopus)

Effect of annealing on microstructure and luminescence characteristics in spark plasma sintered Ce³⁺-activated (Gd, Lu)₃Al₅O₁₂ garnet ceramics

Lee, J. H., Li, J. G., Kim, B. N., Meng, Q., Sun, X. & Jang, B. K., 2月 2021, In: Journal of the European Ceramic Society. 41, 2, p. 1586-1592 7 p.

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9 被引用数 (Scopus)

Fabrication of transparent Y₂O₃ ceramics by two-step spark plasma sintering

Lee, J. H., Kim, B. N. & Jang, B. K., 11月 2021, In: Journal of the American Ceramic Society. 104, 11, p. 5501-5508 8 p.

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12 被引用数 (Scopus)

High-temperature corrosion of spark plasma sintered Gd₂SiO₅ with volcanic ash for environmental barrier coatings

Kim, S. H., Kim, B. N., Nagashima, N., Matsushita, Y. & Jang, B. K., 5月 2021, In: Journal of the European Ceramic Society. 41, 5, p. 3161-3166 6 p.

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14 被引用数 (Scopus)

Mechanical properties and phase-transformation behavior of carbon nanotube-reinforced yttria-stabilized zirconia composites

Jang, B. K., Lee, J. H. & Fisher, C. A. J., 12月 15 2021, In: Ceramics International. 47, 24, p. 35287-35293 7 p.

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Open Access

17 被引用数 (Scopus)

Microstructural and spectroscopic analysis in non-uniform Y₂O₃ ceramics fabricated by spark plasma sintering

Lee, J. H., Kim, B. N., Hata, S. & Jang, B. K., 1月 2021, In: Journal of the Ceramic Society of Japan. 129, 1, p. 66-72 7 p.

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Open Access

3 被引用数 (Scopus)

Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors

Moto, K., Yamamoto, K., Imajo, T., Suemasu, T., Nakashima, H. & Toko, K., 12月 1 2021, In: IEEE Electron Device Letters. 42, 12, p. 1735-1738 4 p.

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17 被引用数 (Scopus)

The effect of vanadium addition on the fracture and wear resistance of indefinite chilled cast iron

Kim, S. H., Baek, E. R. & Jang, B. K., 3月 2021, In: Materials Today Communications. 26, 101819.

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8 被引用数 (Scopus)

Thermoelectric properties of In- and Ga-doped spark plasma sintered ZnO ceramics

Jeong, A., Suekuni, K., Ohtaki, M. & Jang, B. K., 9月 1 2021, In: Ceramics International. 47, 17, p. 23927-23934 8 p.

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Open Access

20 被引用数 (Scopus)

2020

(Invited) Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeO_Xlayer Using Deep-Level Transient Spectroscopy

Nakashima, H., Wen, W.-C., Yamamoto, K. & Wang, D., 9月 8 2020, In: ECS Transactions. 98, 5, p. 395-404 10 p.

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High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al₂O₃ interlayer and its internal charge analysis

Oka, R., Yamamoto, K., Akamine, H., Wang, D., Nakashima, H., Hishiki, S. & Kawamura, K., 4月 1 2020, In: Japanese journal of applied physics. 59, SG, SGGD17.

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6 被引用数 (Scopus)

Interface trap and border trap characterization for Al₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET

Wen, W. C., Nagatomi, Y., Akamine, H., Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 6月 1 2020, In: AIP Advances. 10, 6, 065119.

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Open Access

7 被引用数 (Scopus)

Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene

Solís-Fernández, P., Terao, Y., Kawahara, K., Nishiyama, W., Uwanno, T., Lin, Y. C., Yamamoto, K., Nakashima, H., Nakashima, H., Nagashio, K., Hibino, H., Suenaga, K. & Ago, H., 6月 23 2020, In: ACS nano. 14, 6, p. 6834-6844 11 p.

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34 被引用数 (Scopus)

Mechanical properties and microstructure of Yb₂SiO₅ environmental barrier coatings under isothermal heat treatment

Jang, B. K., Nagashima, N., Kim, S., Oh, Y. S., Lee, S. M. & Kim, H. T., 7月 2020, In: Journal of the European Ceramic Society. 40, 7, p. 2667-2673 7 p.

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36 被引用数 (Scopus)

Non-uniform sintering behavior during spark plasma sintering of Y₂O₃

Lee, J. H., Kim, B. N. & Jang, B. K., 2月 15 2020, In: Ceramics International. 46, 3, p. 4030-4034 5 p.

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24 被引用数 (Scopus)

2019

Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-insulator substrate

Maekrua, T., Goto, T., Nakae, K., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Wang, D., 2019, In: Japanese journal of applied physics. 58, SB, SBBE05.

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4 被引用数 (Scopus)

Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation

Yamamoto, K., Nakae, K., Wang, D., Nakashima, H., Xue, Z., Zhang, M. & Di, Z., 2019, In: Japanese journal of applied physics. 58, SB, SBBA14.

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Open Access

Microstructural studies of core/rim structure of polycarbosilane-derived SiC consolidated by spark plasma sintering

Lee, J. H., Lee, Y., Han, Y. H., Shin, D. G., Kim, S. & Jang, B. K., 6月 15 2019, In: Ceramics International. 45, 9, p. 12406-12410 5 p.

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2 被引用数 (Scopus)

Polycrystalline thin-film transistors fabricated on high-mobility solid-phase-crystallized Ge on glass

Moto, K., Yamamoto, K., Imajo, T., Suemasu, T., Nakashima, H. & Toko, K., 5月 27 2019, In: Applied Physics Letters. 114, 21, 212107.

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Open Access

41 被引用数 (Scopus)

2018

Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy

Wen, W. C., Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 11月 28 2018, In: Journal of Applied Physics. 124, 20, 205303.

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13 被引用数 (Scopus)

Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250 °c

Higashi, H., Kudo, K., Yamamoto, K., Yamada, S., Kanashima, T., Tsunoda, I., Nakashima, H. & Hamaya, K., 6月 7 2018, In: Journal of Applied Physics. 123, 21, 215704.

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30 被引用数 (Scopus)

Two-step synthesis and characterization of vertically stacked SnS-WS₂ and SnS-MoS₂ p-n heterojunctions

Sukma Aji, A., Izumoto, M., Suenaga, K., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Ago, H., 2018, In: Physical Chemistry Chemical Physics. 20, 2, p. 889-897 9 p.

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28 被引用数 (Scopus)

Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition

Yamamoto, K., Noguchi, R., Mitsuhara, M., Nishida, M., Hara, T., Wang, D. & Nakashima, H., 10月 17 2018, In: Semiconductor Science and Technology. 33, 11, 114011.

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3 被引用数 (Scopus)

2017

Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes

Maekura, T., Tanaka, K., Motoyama, C., Yoneda, R., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Wang, D., 8月 30 2017, In: Semiconductor Science and Technology. 32, 10, 104001.

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3 被引用数 (Scopus)

Effect of post annealing on hole mobility of pseudo-single-crystalline germanium films on glass substrates

Kasahara, K., Higashi, H., Nakano, M., Nagatomi, Y., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Hamaya, K., 11月 1 2017, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 70, p. 68-72 5 p.

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5 被引用数 (Scopus)

Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La₂O₃/La₂O₃/Ge high-k gate-stacks

Kanashima, T., Yamashiro, R., Zenitaka, M., Yamamoto, K., Wang, D., Tadano, J., Yamada, S., Nohira, H., Nakashima, H. & Hamaya, K., 11月 1 2017, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 70, p. 260-264 5 p.

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11 被引用数 (Scopus)

Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction

Yamamoto, K., Okamoto, H., Wang, D. & Nakashima, H., 11月 1 2017, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 70, p. 283-287 5 p.

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4 被引用数 (Scopus)

Mechanism of mobility enhancement in Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor due to introduction of Al atoms into SiO₂/GeO₂ gate stack

Nagatomi, Y., Tateyama, T., Tanaka, S., Wen, W. C., Sakaguchi, T., Yamamoto, K., Zhao, L., Wang, D. & Nakashima, H., 11月 1 2017, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 70, p. 246-253 8 p.

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6 被引用数 (Scopus)

2016

エネルギー環境理工学グローバル人材育成のための大学院協働教育プログラム

Tetsuo, T., Yasutake, T., Hideharu, N., Dong, W., Joo-Il, P. & Akira, H., 2016, In: 工学教育. 64, 5

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2015

Cooperational Graduate Education Program for the Development of Global Human Resources in Energy and Environmental Science and Technology

寄稿の翻訳タイトル: Cooperational Graduate Education Program for the Development of Global Human Resources in Energy and Environmental Science and TechnologyTetsuo, T., Yasutake, T., Hideharu, N., Dong, W., Joo-Il, P. & Akira, H., 2015, In: JSEE Annual Conference International Session Proceedings. 2015, p. 36-41 6 p.

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Open Access

2012

Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and hole mobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique

Yang, H., Wang, D. & Nakashima, H., 2月 1 2012, In: Thin Solid Films. 520, 8, p. 3283-3287 5 p.

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5 被引用数 (Scopus)

Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Yamamoto, K., Yamanaka, T., Ueno, R., Hirayama, K., Yang, H., Wang, D. & Nakashima, H., 2月 1 2012, In: Thin Solid Films. 520, 8, p. 3382-3386 5 p.

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14 被引用数 (Scopus)

2011

Defect evaluation by photoluminescence for uniaxially strained Si-On-insulator

Wang, D., Yamamoto, K., Gao, H., Yang, H. & Nakashima, H., 2011, In: Journal of the Electrochemical Society. 158, 12, p. H1221-H1224

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Effective passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al₂O₃ deposition and subsequent post-annealing

Yang, H., Iyota, M., Ikeura, S., Wang, D. & Nakashima, H., 6月 2011, In: Solid-State Electronics. 60, 1, p. 128-133 6 p.

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Open Access

2 被引用数 (Scopus)

Energy Engineering Sciences

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