年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
IFC部門が活動している研究トピックを掘り下げます。これらのトピックラベルは、この組織のメンバーの研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
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Aggregated peak-load analysis and demand response potential of a residential building in Osaka, Japan
Toosty, N. T., Shimoda, S. & Hagishima, A., 3月 2025, In: Environment, Development and Sustainability. 27, 3, p. 6881-6898 18 p., 113693.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Al2O3 growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices
Aso, T., Kuwazuru, H., Wang, D. & Yamamoto, K., 5月 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 190, 109372.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access -
Corrigendum to “From monomer to polymer: Controlled synthesis and comprehensive analysis of poly(p-phenylene vinylene) via ROMP” [Journal of Molecular Structure (2024) 138001] (Journal of Molecular Structure (2024) 1310, (S0022286024005234), (10.1016/j.molstruc.2024.138001))
Basyouni, M. Z., Abdu, M. E., Radwan, M. F. & Spring, A. M., 2025, (印刷中) In: Journal of Molecular Structure. 142099.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › コメント/討論 › 査読
活動
- 4 招待講演
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Thermally Oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-Mos Capacitor and Field-Effect Transistor
Yamamoto, K. (招待講演者), Wen, W. C. (講演者), Wang, D. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
10月 9 2023活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演
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Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology
Yamamoto, K. (招待講演者), Matsuo, T. (講演者), Wang, D. (講演者), Moto, K. (講演者), Toko, K. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
8月 3 2022活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演
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Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications
Yamamoto, K. (招待講演者), Wang, D. (講演者) & Nakashima, H. (講演者)
10月 10 2021 → 10月 14 2021活動: 講演またはプレゼンテーション › 招待講演