Si/SiC表面上のSnの吸着構造

真吾 林; 剣斗 原; 隆司 梶原; Anton Visikovskiy; 拓嗣 飯盛; 文夫 小森; 悟 田中

doi:10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358

Si/SiC表面上のSnの吸着構造

Translated title of the contribution: Sn adsorption structures on Si/SiC surfaces

林真吾, 原剣斗, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 田中悟

Applied Physics

Research output: Contribution to journal › Article

Abstract

<p>Sn及びその原子層のstaneneはトポロジカル絶縁体として注目されている。本研究ではグラフェン等原子層物質の下地として用いられているSiC上へSnの吸着を行った。その結果、SiCの初期表面構造によって異なるSnの吸着過程を観察した。</p>

Translated title of the contribution	Sn adsorption structures on Si/SiC surfaces
Original language	Japanese
Pages (from-to)	2358-2358
Number of pages	1
Journal	日本物理学会講演概要集
Volume	71
Issue number	0
DOIs	https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358
Publication status	Published - 2016

Access to Document

10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358

https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358

Cite this

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year = "2016",

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journal = "日本物理学会講演概要集",

issn = "2189-079X",

publisher = "一般社団法人日本物理学会",

number = "0",

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TY - JOUR

T1 - Si/SiC表面上のSnの吸着構造

AU - 林, 真吾

AU - 原, 剣斗

AU - 梶原, 隆司

AU - Visikovskiy, Anton

AU - 飯盛, 拓嗣

AU - 小森, 文夫

AU - 田中, 悟

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Sn及びその原子層のstaneneはトポロジカル絶縁体として注目されている。本研究ではグラフェン等原子層物質の下地として用いられているSiC上へSnの吸着を行った。その結果、SiCの初期表面構造によって異なるSnの吸着過程を観察した。

AB - Sn及びその原子層のstaneneはトポロジカル絶縁体として注目されている。本研究ではグラフェン等原子層物質の下地として用いられているSiC上へSnの吸着を行った。その結果、SiCの初期表面構造によって異なるSnの吸着過程を観察した。

U2 - 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358

DO - 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2358

M3 - 学術誌

SN - 2189-079X

VL - 71

SP - 2358

EP - 2358

JO - 日本物理学会講演概要集

JF - 日本物理学会講演概要集

IS - 0

ER -