Abstract
前回の大会では, 伝送レート40 Gbit/s以上の超高速光通信システム用のICモジュールを実現するための, 新しいモジュール構成技術に関して発表を行った。今回はこの技術を用いて, GaAs MESFET分布アンプモジュールの試作と, 40 GHzまでの特性評価を行った結果について報告する。
| Translated title of the contribution | 0-40 GHz GaAs MESFET Distributed Baseband Amplifier Module |
|---|---|
| Original language | Japanese |
| Pages (from-to) | 69 |
| Journal | 電子情報通信学会総合大会講演論文集 |
| Volume | 1997 |
| Issue number | 1 |
| Publication status | Published - Mar 6 1997 |